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 Temperature of Conductive Nanofilaments in Hexagonal Boron Nitride Based Memristors Showing Threshold Resistive Switching 显示阈值电阻开关的六方氮化硼基忆阻器中导电纳米丝的温度
相关领域
材料科学
电阻随机存取存储器
记忆电阻器
纳米电子学
氮化硼
电介质
光电子学
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期刊：Advanced electronic materials 作者：Mario Lanza; Félix Palumbo; Yuanyuan Shi; Fernando Aguirre; Santiago Boyeras; et al 出版日期：2021-08-12 |
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