Reverse Recovery Enhanced and Single-Event Effects Hardened Power Schottky Source MOSFET With Integrated Retrograde p-Well Schottky Contact Super Barrier Rectifier

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标题	Reverse Recovery Enhanced and Single-Event Effects Hardened Power Schottky Source MOSFET With Integrated Retrograde p-Well Schottky Contact Super Barrier Rectifier
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/16/10508280/10478972.pdf...
DOI	10.1109/ted.2024.3379156 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Qisheng Yu; Wensuo Chen; Aohang Zhang; Jiaweiwen Huang 出版日期：2024-03-26
求助人	笑点低从凝在 2026-03-15 20:45:07 发布自陕西，悬赏 10 积分
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