Monolithically Integrated Enhancement-Mode and Depletion-Mode β-Ga2O3 MESFETs with Graphene-Gate Architectures and Their Logic Applications

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标题	Monolithically Integrated Enhancement-Mode and Depletion-Mode β-Ga2O3 MESFETs with Graphene-Gate Architectures and Their Logic Applications 相关领域材料科学光电子学 MESFET 石墨烯场效应晶体管逆变器逻辑门晶体管电气工程纳米技术电压工程类
网址	https://doi.org/10.1021/acsami.9b19667
DOI	10.1021/acsami.9b19667 doi
其它	期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Janghyuk Kim; Jihyun Kim; Jihyun Kim; Jihyun Kim 出版日期：2020-01-03
求助人	朴实寒梅在 2026-04-21 10:40:40 发布，悬赏 10 积分
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