Impact of Insulating Layer Design in the Termination Region of SiC Devices on H3TRB Test

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标题	Impact of Insulating Layer Design in the Termination Region of SiC Devices on H3TRB Test
网址	https://doi.org/10.23919/ispsd62843.2025.11117451
DOI	10.23919/ispsd62843.2025.11117451 doi
其它	期刊：作者：Kohei Ebihara; Hiroki Niwa; Yosuke Nakata; Toshikazu Tanioka; Takeshi Murakami; et al 出版日期：2025-06-01
求助人	Rex 在 2026-08-04 11:06:42 发布自中国台湾，悬赏 10 积分
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