| 标题 |
a novel positive tone development method for defect reduction in the semiconductor 193 nm immersion lithography process 相关领域
浸没式光刻
材料科学
平版印刷术
抵抗
临界尺寸
光刻胶
光电子学
光刻
半导体器件制造
多重图案
半导体
光学
纳米技术
薄脆饼
物理
图层(电子)
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| DOI |
10.1117/12.2297280
doi
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| 其它 |
期刊: 作者:Li Li; Xuan Liu; David Conklin; Tafsirul Islam 出版日期:2018-03-20 |
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