Design on Formation of Nickel Silicide by a Low‐Temperature Pulsed Laser Annealing Method to Reduce Contact Resistance for CMOS Inverter and 6T‐SRAM on a Wafer‐Scale Flexible Substrate

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标题	Design on Formation of Nickel Silicide by a Low‐Temperature Pulsed Laser Annealing Method to Reduce Contact Resistance for CMOS Inverter and 6T‐SRAM on a Wafer‐Scale Flexible Substrate
网址	https://advanced.onlinelibrary.wiley.com/doi/pdf/10.1002/ael...
DOI	10.1002/aelm.202300353 doi
其它	期刊：Advanced Electronic Materials 作者：Yu‐Chieh Hsu; Yan‐Yu Chen; Jia‐Min Shieh; Wen‐Hsien Huang; Chang‐Hong Shen; et al 出版日期：2023-10-16
求助人	听话的高山在 2026-09-15 13:44:30 发布自陕西，悬赏 10 积分
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