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  Characterization of Trap States in AlGaN/GaN MIS-High-Electron-Mobility Transistors under Semi-on-State Stress 半在态应力下TGA/GaNMIS高电子迁移率晶体管陷阱态的特征
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期刊：Nanomaterials 作者：Ye Liang; Jia-Chen Duan; Ping Zhang; Kain Lu Low; Jie Zhang; et al 出版日期：2024-09-20 |
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