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 Inner‐Layer Indium Doping Achieved Highly Active and Stable Sulfur Vacancies in MoS2 for Superior Sulfur Redox Kinetics 内层铟掺杂在MoS2中实现了高活性和稳定的硫空位，具有优异的硫氧化还原动力学
相关领域
材料科学
铟
硫黄
动力学
兴奋剂
氧化还原
图层（电子）
无机化学
化学工程
纳米技术
化学
光电子学
冶金
量子力学
物理
工程类
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期刊：Advanced Materials 作者：Qingbin Jiang; Huifang Xu; Kwan San Hui; Yijie Wei; Lingwen Liu; et al 出版日期：2025-06-12 |
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