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标题
Lowering the Schottky Barrier Height by Quasi-van der Waals Contacts for High-Performance p-Type MoTe2 Field-Effect Transistors
用准范德华接触降低高性能p型MoTe2场效应晶体管肖特基势垒高度
相关领域
材料科学 肖特基势垒 范德瓦尔斯力 接触电阻 半导体 场效应晶体管 光电子学 电接点 晶体管 肖特基二极管 纳米技术 数码产品 电子迁移率 硅 电阻和电导 锗 电阻率和电导率 半导体器件 矩形势垒 金属半导体结 开尔文探针力显微镜 等效串联电阻 欧姆接触
网址
https://doi.org/10.1021/acsami.4c02106
DOI
10.1021/acsami.4c02106 doi
其它 期刊：ACS Applied Materials & Interfaces
作者：Ze Yang; Xingkun Peng; Jinyong Wang; Jialong Lin; Chuanlun Zhang; et al
出版日期：2024-04-27
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哈哈 在 2025-11-04 19:14:00 发布自湖南，悬赏 10 积分
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