Threshold voltage instability in III-nitride heterostructure metal–insulator–semiconductor high-electron-mobility transistors: Characterization and interface engineering

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标题	Threshold voltage instability in III-nitride heterostructure metal–insulator–semiconductor high-electron-mobility transistors: Characterization and interface engineering
网址	https://doi.org/10.1063/5.0179376
DOI	10.1063/5.0179376 doi
其它	期刊：Applied physics reviews 作者：Sen Huang; Xinhua Wang; Yixu Yao; Kexin Deng; Yang Yang; et al 出版日期：2024-05-31
求助人	WYM 在 2026-07-29 12:50:20 发布自吉林，悬赏 10 积分
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