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 Electronic structure and magnetism in transition metal doped InSe monolayer: A GGA + U study 过渡金属掺InSe单层的电子结构和磁性：GGA + U研究
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期刊：Ceramics International 作者：Zhi Xie; Si-Le Lin; Zhongchang Wang 出版日期：2018-06-02 |
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