| 标题 |
[高分]
 Dependence of Drain Induced Barrier Lowering for Ratio of Channel Length vs. Thickness of Asymmetric Double Gate MOSFET 非对称双栅MOSFET沟道长度与厚度之比对漏极诱导势垒降低的依赖性
相关领域
MOSFET
材料科学
双闸门
排水诱导屏障降低
信道长度调制
频道（广播）
光电子学
栅氧化层
电气工程
晶体管
工程类
电压
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：The Journal of the Korean Institute of Information and Communication Engineering 作者：Hakkee Jung 出版日期：2015-06-30 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Kao
cdercder
Nole
sci_fp
Samuel
Avalonx
GingerF
arniu2008
OK
sagitar
Criminology34
无极微光
LB
XL
七月不远
科研狗
Copyright
youth
dynamoo
老胡
皖公网安备34019202002308
