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 Strain and stacking induced topological phase transition in bipolar ferromagnetic semiconductor OsClBr 双极铁磁半导体OsClBr中应变和叠层诱导的拓扑相变
相关领域
凝聚态物理
拓扑（电路）
铁磁性
拓扑序
堆积
量子反常霍尔效应
材料科学
物理
电子
量子
量子霍尔效应
量子力学
核磁共振
数学
组合数学
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Congling Li; Hongxin Chen; Guichao Hu; Xiaobo Yuan; Junfeng Ren; et al 出版日期：2023-12-11 |
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