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 Threshold Coupling AlGaN/GaN HEMT Incorporating a Composition-Modulated Barrier for High-Voltage and High-Linearity Application 相关领域
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Xiang Du; Minhan Mi; Pengfei Wang; Xinyue Zhang; Feiyang Chen; et al 出版日期：2025-10-31 |
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(2025-6-4)
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