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标题
First Characterization of Si, SiC and GaN Power Deivces at Deep Cryogenic Temperatures Down to 0.1 K
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DOI
10.1109/iedm50854.2024.10873437 doi
其它 期刊:2024 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
作者:Xin Yang; Matthew Porter; Zineng Yang; Zichen Xi; Qiang Li; et al
出版日期:2025-02-19
求助人
小瓶子 在 2026-04-11 16:47:04 发布自中国,悬赏 10 积分
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