Epitaxial growth of hexagonal pillar structure InN single crystals on sapphire (11−20) substrate by halide CVD method under atmospheric pressure

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标题	[高分] Epitaxial growth of hexagonal pillar structure InN single crystals on sapphire (11−20) substrate by halide CVD method under atmospheric pressure
网址	https://doi.org/10.2109/jcersj2.23030
DOI	10.2109/jcersj2.23030 doi
其它	期刊：Journal of the Ceramic Society of Japan 作者：Naonori Sakamoto; Haruka Sugiura; Tomohiro Murase; Takahiko Kawaguchi; Naoki Wakiya; Hisao Suzuki 出版日期：2023
求助人	YiXianCoA 在 2026-03-20 17:08:35 发布自山西，悬赏 150 积分
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