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标题
Optimum Design of Asymmetric 4H-SiC Superjunction Devices for Wide Charge Imbalance Tolerance
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DOI
10.1109/ted.2026.3675183 doi
其它 期刊:IEEE Transactions on Electron Devices
作者:Xuan Li; Nanbing Chen; Jinggui Zhou; Hanqing Zhao; Zhao Qi; et al
出版日期:2026-04-04
求助人
ss 在 2026-04-21 11:11:33 发布自湖南,悬赏 10 积分
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