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Normally-Off C–H Diamond MOSFETs With Partial C–O Channel Achieving 2-kV Breakdown Voltage
具有部分C-O沟道的常关C-H金刚石MOSFETs达到2kV击穿电压
相关领域
钻石
MOSFET
材料科学
光电子学
阈值电压
晶体管
场效应晶体管
电气工程
氢
电压
化学
工程类
复合材料
有机化学
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其它 |
期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Y. Kitabayashi; Tetsuichi Kudo; Hidetoshi Tsuboi; Tetsuya Yamada; Dehong Xu; et al 出版日期:2017-03-01 |
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