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专利、报告等 method for measuring dc bias aging characteristics of multilayer capacitor
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求助人暂未提供
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这件专利的发明人是 Dong Seuk Kim、Geon Yong Lee、Myung Duk Seo、DongHwi Shin(中文公开文本译作金东锡、李健镛、徐明德、申东辉),申请人是三星电 机。19 项权利要求,20 张附图,CPC 归在 G01R 31/64(电容器测试);美国公开文本 US 2025/0044375 A1,2025 年2月 6日公开:中国同族CN119438740A,2025年2月14 日公开,申请号CN202410622532.2。 |
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(2025-6-4)