Effect of p-InGaN Cap Layer on Low-Resistance Contact to p-GaN: Carrier Transport Mechanism and Barrier Height Characteristics

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标题	Effect of p-InGaN Cap Layer on Low-Resistance Contact to p-GaN: Carrier Transport Mechanism and Barrier Height Characteristics
网址	https://www.mdpi.com/2073-4352/15/1/56/pdf?version=173631046...
DOI	10.3390/cryst15010056 doi
其它	期刊：Crystals 作者：Mohit Kumar; Laurent Xu; Timothée Labau; J. Biscarrat; S. Torrengo; et al 出版日期：2025-01-08
求助人	研友_qZ6jKZ 在 2026-10-25 16:47:43 发布自江苏，悬赏 10 积分
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