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标题
GaOx interlayer-originated hole traps in SiO2/p-GaN MOS structures and their suppression by low-temperature gate dielectric deposition
SiO2/p-GaN MOS结构中GaOx层间空穴陷阱及其低温栅介质沉积抑制
相关领域
电介质 材料科学 光电子学 沉积（地质） 宽禁带半导体 栅极电介质 原子层沉积 高-κ电介质 薄膜 纳米技术 晶体管 电气工程 电压 工程类 古生物学 生物 沉积物
网址
https://doi.org/10.1063/5.0246368
DOI
10.1063/5.0246368 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Masahiro Hara; Takuma Kobayashi; Mikito Nozaki; Heiji Watanabe
出版日期：2025-01-13
求助人
jy 在 2025-12-06 14:12:01 发布自甘肃，悬赏 10 积分
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