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Disturb and its Mitigation in Ferroelectric Field-Effect Transistors With Large Memory Window for NAND Flash Applications
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网址
https://doi.org/10.1109/led.2024.3467210
DOI
10.1109/led.2024.3467210 doi
其它 期刊：IEEE Electron Device Letters
作者：Prasanna Venkatesan; Chinsung Park; Taeyoung Song; Lance Fernandes; Dipjyoti Das; et al
出版日期：2024-09-25
求助人
浪者漫心 在 2026-01-12 09:31:08 发布自湖南，悬赏 10 积分
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