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 Sky-FET: A Selective Area Regrown GaN Power Device with Enhanced Breakdown Voltage 相关领域
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Fuqiang Guo; S. H. Huang; Qimeng Jiang; Xingyu Fu; Jie An; et al 出版日期：2026-01-01 |
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(2025-6-4)
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