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 High‐Performance Monolayer SiMe‐Graphene n‐Type Field‐Effect Transistors with Low Supply Voltage and High On‐State Current in Sub‐5 nm Gate Length 高性能单层SiMe-石墨烯n型场效应晶体管，具有低电源电压和高通态电流，门长低于5纳米
相关领域
材料科学
场效应晶体管
小型化
石墨烯
晶体管
光电子学
悬空债券
半导体
纳米技术
电压
电气工程
硅
工程类
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| 其它 |
期刊：Advanced Electronic Materials 作者：Wenkai Zhao; Dongqing Zou; Zhaopeng Sun; Yuqing Xu; Guomin Ji; et al 出版日期：2022-02-26 |
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