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Refined analysis of C–V and I–V characteristics of Al/dielectric/Si structures containing nanosized Ta2O5/SiOxNy dielectric stack
含纳米Ta2O5/SiOxNy电介质叠层的Al/电介质/Si结构C-V和I-V特性的精细分析
相关领域
材料科学 硅 电介质 肖特基二极管 分析化学（期刊） 带隙 肖特基势垒 价（化学） 金属 凝聚态物理 化学 光电子学 冶金 物理 有机化学 二极管 色谱法
网址
https://doi.org/10.1088/1361-6463/abbfc9
DOI
10.1088/1361-6463/abbfc9 doi
其它 期刊：Journal of Physics D Applied Physics
作者：N. Novkovski
出版日期：2020-10-09
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小林子 在 2025-07-01 09:54:38 发布自江苏，悬赏 10 积分
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