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 Refined analysis of C–V and I–V characteristics of Al/dielectric/Si structures containing nanosized Ta2O5/SiOxNy dielectric stack 含纳米Ta2O5/SiOxNy电介质叠层的Al/电介质/Si结构C-V和I-V特性的精细分析
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期刊：Journal of Physics D Applied Physics 作者：N. Novkovski 出版日期：2020-10-09 |
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