Backside Power Delivery With Relaxed Overlay for Backside Patterning Using Extreme Wafer Thinning and Molybdenum-Filled Slit Nano Through Silicon Vias

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标题	Backside Power Delivery With Relaxed Overlay for Backside Patterning Using Extreme Wafer Thinning and Molybdenum-Filled Slit Nano Through Silicon Vias 使用极端晶片减薄和钼填充狭缝纳米通孔进行背面图案化的松弛覆盖的背面功率传输相关领域薄脆饼材料科学硅覆盖光电子学纳米- 蚀刻（微加工）狭缝钼纳米技术光学复合材料计算机科学物理图层（电子）冶金程序设计语言
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2024.3487080
DOI	10.1109/ted.2024.3487080 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Peng Zhao; Liesbeth Witters; Anne Jourdain; Michele Stucchi; N. Jourdan; et al 出版日期：2024-01-01
求助人	葛力在 2025-05-17 01:20:22 发布自中国台湾，悬赏 10 积分
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