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 Optoelectronic Neuromorphic Logic Memory Device Based on Ga2O3/MoS2 Van der Waals Heterostructure with High Rectification and On/Off Ratios 基于Ga2O3/MoS2范德华异质结构的高整流和开/关比光电神经形态逻辑存储器件
相关领域
整改
材料科学
神经形态工程学
异质结
光电子学
响应度
和大门
堆积
逻辑门
电气工程
人工智能
光电探测器
物理
计算机科学
电压
人工神经网络
算法
核磁共振
工程类
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期刊：Advanced Functional Materials 作者：Yao Zhang; Wei Liu; Kai Liu; Runzhi Wang; Jiaqi Yu; et al 出版日期：2024-07-30 |
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