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 Performances of AlGaN/GaN MIS-HEMT with Low-Temperature Sputtering-Deposited AlBN as Gate Dielectric and Passivation Layer 相关领域
材料科学
钝化
高电子迁移率晶体管
光电子学
溅射
图层（电子）
电介质
晶体管
电气工程
复合材料
薄膜
纳米技术
电压
工程类
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期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology 作者：H.-Y. Chou; Kuan-Lun Chen; Henglong Yang; You‐Chen Weng; Chih Yi Yang; et al 出版日期：2025-03-24 |
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