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[求助补充材料]
 Quasi-non-volatile capacitorless DRAM based on ultralow-leakage edge-contact MoS2 transistors 相关领域
德拉姆
材料科学
晶体管
动态随机存取存储器
光电子学
泄漏（经济）
非易失性存储器
CMOS芯片
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电气工程
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电子工程
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期刊：Nature Materials 作者：Saifei Gou; Yuxuan Zhu; Zhejia Zhang; Menglin Huang; Jinshu Zhang; et al 出版日期：2026-01-14 |
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