| 标题 |
Impact of AlN buffer layers on MBE grown cubic GaN layers AlN缓冲层对MBE生长立方氮化镓层的影响
相关领域
材料科学
分子束外延
光电子学
堆积
外延
叠加断层
氮化物
衍射
表面粗糙度
宽禁带半导体
产量(工程)
量子阱
表面光洁度
位错
光学
纳米技术
复合材料
图层(电子)
化学
有机化学
激光器
物理
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊: 作者:Jörg Schörmann; Mario F. Zscherp; Nils Mengel; Detlev M. Hofmann; Vitalii Lider; et al 出版日期:2023-03-15 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)