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 Mechanisms of negative bias instability of commercial SiC MOSFETs observed by current transients 用电流瞬态观察商用SiC MOSFET负偏压不稳定性的机制
相关领域
MOSFET
不稳定性
电流（流体）
材料科学
负偏压温度不稳定性
光电子学
工程物理
电气工程
凝聚态物理
物理
机械
工程类
晶体管
电压
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期刊：Solid-State Electronics 作者：Mayank Chaturvedi; Daniel Haasmann; Philip Tanner; Sima Dimitrijev 出版日期：2024-02-16 |
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