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 Impact of Channel Electric Field Profile Evolution on Nanosecond Timescale Cyclic Stress-Induced Dynamic R ON Behavior in AlGaN/GaN HEMTs—Part II 纳秒时间尺度循环应力诱导动态R沟道电场分布演化对AlGaN/GaN HEMTs行为的影响——第二部分
相关领域
电场
领域（数学）
物理
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工程类
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Rajarshi Roy Chaudhuri; Amratansh Gupta; Vipin Joshi; Rasik Rashid Malik; Sayak Dutta Gupta; et al 出版日期：2023-08-11 |
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