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 Power Gain-Stable AlN/GaN MIS-HEMTs With Pulsed N2 Plasma-Treated In-Situ SiNx Gate Dielectric 相关领域
材料科学
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Qingyi Zhang; K. Wei; Jian-Chao Wang; Sheng Zhang; Kaiyu Wang; et al 出版日期：2026-08-01 |
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