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ICP vs CCP in High Aspect Ratio Etching of SiO2 using Ar/C4F8/O2 Gas Mixtures
ICP与CCP在Ar/C4F8/O2混合气体高纵横比刻蚀SiO2中的比较
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期刊:2020 IEEE International Conference on Plasma Science (ICOPS) 作者:Florian Krüger; Mark J. Kushner; Seung Bo Shim; Hyunjae Lee; Sang-Ki Nam 出版日期:2020-12-06 |
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