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Enhanced Single-Event Hardness in GaN-on-Si HEMT With Gate-Junction Termination Extension |
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期刊:2025 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 作者:Xuan Xie; Minze Wang; Ziang Wang; Zhi Wang; Chenyue Chu; et al 出版日期:2025-08-20 |
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LuoYixiang
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(2025-6-4)