Enhanced Single-Event Hardness in GaN-on-Si HEMT With Gate-Junction Termination Extension

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标题	Enhanced Single-Event Hardness in GaN-on-Si HEMT With Gate-Junction Termination Extension
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/11117210/11117222/111179...
DOI	10.23919/ispsd62843.2025.11117979 doi
其它	期刊：2025 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 作者：Xuan Xie; Minze Wang; Ziang Wang; Zhi Wang; Chenyue Chu; et al 出版日期：2025-08-20
求助人	LuoYixiang 在 2026-06-20 22:04:12 发布自江苏，悬赏 10 积分
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