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Highly Stackable 3D DRAM of Dual-Gate IGZO 2T0C with Record 3 Bits/Cell and 400s Data Retention |
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期刊:2026 IEEE/JSAP Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits) 作者:Fuxi Liao; Zhengyong Zhu; Guanhua Yang; Xuanming Zhang; Menggan Liu; et al 出版日期:2026-07-04 |
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