Formation mechanisms of low-density C-related defects in homoepitaxy 3C-SiC MOS capacitors compared with 4H-SiC

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标题	Formation mechanisms of low-density C-related defects in homoepitaxy 3C-SiC MOS capacitors compared with 4H-SiC 同质外延3C-SiC MOS电容器与4H-SiC低密度C相关缺陷形成机制的比较
网址	https://pubs.aip.org/aip/apl/article-pdf/doi/10.1063/5.02943...
DOI	10.1063/5.0294332 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Zheng Hu; Yidan Tang; Huaping Song; Xinhua Wang; Junwei Yang; et al 出版日期：2025-11-12
求助人	个性的篮球在 2025-11-13 08:51:28 发布自广东，悬赏 40 积分
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