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 Microstructural and chemical properties of high-k holmium oxide (Ho2O3) and its effect on interface properties and current transport process of Au/n-GaN/Ti/Al Schottky contact as an interlayer 高k氧化铝（Ho 2 O3）的微观结构和化学性质及其对作为中间层的Au/n-Gap/Ti/Al Schottky接触界面性质和电流输运过程的影响
相关领域
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期刊：Vacuum 作者：D. Surya Reddy; V. Rajagopal Reddy; V. Janardhanam; Chel‐Jong Choi 出版日期：2024-10-01 |
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