Integration of 0.75 V VDD Oxide-Semiconductor 1T1C Memory with Advanced Logic for an Ultra-Low-Power Low-Latency Cache Solution

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标题	Integration of 0.75 V VDD Oxide-Semiconductor 1T1C Memory with Advanced Logic for an Ultra-Low-Power Low-Latency Cache Solution 将0.75 V VDD氧化物半导体1T1C存储器与高级逻辑集成，实现超低功耗低延迟高速缓存解决方案相关领域隐藏物计算机科学逻辑门光电子学材料科学嵌入式系统操作系统算法
网址	https://doi.org/10.23919/vlsitechnologyandcir65189.2025.1107...
DOI	10.23919/vlsitechnologyandcir65189.2025.11074854 doi
其它	期刊：作者：Katherine Chiang; Yen-Chung Ho; Ming-Yen Chuang; Chih‐Yu Chang; Yun-Feng Kao; et al 出版日期：2025-06-08
求助人	firesquall 在 2025-08-07 09:42:50 发布自美国，悬赏 10 积分
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