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 Integration of 0.75 V VDD Oxide-Semiconductor 1T1C Memory with Advanced Logic for an Ultra-Low-Power Low-Latency Cache Solution 将0.75 V VDD氧化物半导体1T1C存储器与高级逻辑集成，实现超低功耗低延迟高速缓存解决方案
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期刊： 作者：Katherine Chiang; Yen-Chung Ho; Ming-Yen Chuang; Chih‐Yu Chang; Yun-Feng Kao; et al 出版日期：2025-06-08 |
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