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 Gate-to-Drain Capacitance Dependent Model for Noise Performance Evaluation of InAlAs/InGaAs Double-gate HEMT InAlAs/InGaAs双栅HEMT噪声性能评估的栅漏电容相关模型
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期刊：JSTS Journal of Semiconductor Technology and Science 作者：Monika Bhattacharya; Jyotika Jogi; R.S. Gupta; Mridula Gupta 出版日期：2013-08-31 |
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