Proton radiation effects on electronic defect states in MOCVD-grown (010) β-Ga2O3

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标题	Proton radiation effects on electronic defect states in MOCVD-grown (010) β-Ga2O3 相关领域辐照质子分析化学（期刊）肖特基二极管深能级瞬态光谱原子物理学通量材料科学肖特基势垒化学二极管光电子学硅物理核物理学色谱法
网址	https://doi.org/10.1063/5.0121416 AI链接 osti.gov osti.gov osti.govdoi.org
DOI	10.1063/5.0121416 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：Joe F. McGlone; Hemant Ghadi; Evan M. Cornuelle; Andrew Armstrong; George R. Burns; et al 出版日期：2023-01-25
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