Effect of hydrogen incorporation on sub-gap density of states in amorphous InGaZnO thin-film transistors

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标题	Effect of hydrogen incorporation on sub-gap density of states in amorphous InGaZnO thin-film transistors
网址	https://doi.org/10.1117/12.2545439
DOI	10.1117/12.2545439 doi
其它	期刊：Oxide-based Materials and Devices XI 作者：George W. Mattson; Kyle T. Vogt; Chris Malmberg; Paul Cheong; John F. Wager; Matt W. Graham 出版日期：2020-03-06
求助人	子任在 2026-03-02 16:13:09 发布自河北，悬赏 20 积分
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