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 High Schottky Barrier Height of Cerium-Doped Hydrogenated Indium Oxide/p-Type Ge Diodes 相关领域
材料科学
铟
光电子学
兴奋剂
二极管
肖特基势垒
肖特基二极管
金属半导体结
铈
氧化物
冶金
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Tatsuro Maeda; Hiroyuki Ishii; Hiroto Ishii; Chia-Tsong Chen; Kazuhisa Kudou; et al 出版日期：2025-08-21 |
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