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 A 2.38 MCells/mm2 9.81 -350 TOPS/W RRAM Compute-in-Memory Macro in 40nm CMOS with Hybrid Offset/IOFF Cancellation and ICELL RBLSL Drop Mitigation 相关领域
电阻随机存取存储器
偏移量（计算机科学）
CMOS芯片
宏
随机存取存储器
误码率
计算机科学
非易失性存储器
电气工程
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期刊：2023 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits) 作者：Samuel D. Spetalnick; Muya Chang; Shota Konno; Brian Crafton; Ashwin S. Lele; et al 出版日期：2023-07-25 |
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