Distributed polarization-doped GaN p–n diodes with near-unity ideality factor and avalanche breakdown voltage of 1.25 kV

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标题	Distributed polarization-doped GaN p–n diodes with near-unity ideality factor and avalanche breakdown voltage of 1.25 kV 理想因子接近1，雪崩击穿电压为1.25 kV的分布极化掺杂GaN p-n二极管相关领域兴奋剂击穿电压二极管光电子学材料科学雪崩击穿宽禁带半导体接受者掺杂剂杂质雪崩二极管氮化镓带隙电压凝聚态物理电气工程图层（电子）纳米技术化学物理有机化学工程类
网址	https://doi.org/10.1063/5.0083302
DOI	10.1063/5.0083302 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Kazuki Nomoto; Wenshen Li; Bo Song; Zongyang Hu; Mingda Zhu; et al 出版日期：2022-03-21
求助人	gang 在 2025-12-05 20:21:15 发布自北京，悬赏 10 积分
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