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标题
Performance analysis of gallium nitride-based DH-HEMT with polarization-graded AlGaN back-barrier layer
极化梯度AlGaN后势垒层氮化镓基DH-HEMT的性能分析
相关领域
高电子迁移率晶体管 材料科学 光电子学 氮化镓 异质结 晶体管 阻挡层 宽禁带半导体 极化（电化学） 氮化物 图层（电子） 纳米技术 电气工程 电压 物理化学 化学 工程类
网址
https://doi.org/10.1007/s00340-023-08042-7
AI链接 springer.comdoi.org
DOI
10.1007/s00340-023-08042-7 doi
其它 期刊：Applied Physics B
作者：Sanjib Kalita; Bhaskar Awadhiya; Papul Changmai
出版日期：2023-05-24
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