| 标题 |
 1.2 kV SiC MOSFETs with tapered buffer oxide for the suppression of the electric field crowding effect 1.2 kV SiC MOSFET，具有锥形缓冲氧化物，用于抑制电场拥挤效应
相关领域
电场
材料科学
碳化硅
缓冲器（光纤）
氧化物
栅氧化层
光电子学
MOSFET
电气工程
电压
复合材料
物理
晶体管
工程类
量子力学
冶金
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Hyowon Yoon; Jin-Hun Kim; Sangyeob Kim; Chaeyun Kim; Yeongeun Park; et al 出版日期：2023-10-02 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
浮游
无极微光
陈末
avalanche
Criminology34
yznfly
xxfsx
tuanheqi
小杭76
GingerF
pluto
寻道图强
小青椒
Zx_1993
风中冰香
西海岸第一rapper
ccm
David
你嵙这个期刊没买
Smar_zcl
ASD
WB87
Mic
竹筏过海
皖公网安备34019202002308
