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标题
Epitaxial Growth of ScAlN on (111) Si Via Molecular Beam Epitaxy
分子束外延法在（111）Si上外延生长ScAlN
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网址
https://doi.org/10.1007/s11664-024-11673-x
DOI
10.1007/s11664-024-11673-x doi
其它 期刊：Journal of Electronic Materials
作者：Matthew T. Hardy; Andrew C. Lang; James L. Hart; Eric N. Jin; Neeraj Nepal; et al
出版日期：2024-12-23
求助人
蒋时晏 在 2025-12-03 21:04:15 发布自海南，悬赏 10 积分
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