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标题
Study of the mechanism of single event burnout in lateral depletion-mode Ga2O3 MOSFET devices via TCAD simulation
横向耗尽型Ga2O3 MOSFET器件单层烧毁机理的TCAD模拟研究
相关领域
MOSFET 机制（生物学） 材料科学 光电子学 计算机科学 工程物理 电子工程 物理 工程类 电气工程 晶体管 电压 量子力学
网址
https://doi.org/10.1063/5.0184704
AI链接 aip.orgdoi.org
DOI
10.1063/5.0184704 doi
其它 期刊：Journal of Applied Physics
作者：Wang Ke-jia; Zujun Wang; Rongxing Cao; Hanxun Liu; Wenjing Chang; et al
出版日期：2024-04-08
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厉害的猫 在 2025-12-09 13:22:48 发布自广西，悬赏 10 积分
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