β-Ga2O3 Vertical U-Trench MOSFET With Nitrogen-Doped Current Blocking Layer Grown via Ex Situ and In Situ MOCVD Epitaxy

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标题	β-Ga2O3 Vertical U-Trench MOSFET With Nitrogen-Doped Current Blocking Layer Grown via Ex Situ and In Situ MOCVD Epitaxy
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/55/11319295/11245196.pdf...
DOI	10.1109/led.2025.3632268 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Xiaorui Xu; Haoxin Lin; Yicong Deng; Zhengbo Wang; Xueli Han; et al 出版日期：2026-01-01
求助人	大国在 2026-07-12 04:05:18 发布自浙江，悬赏 10 积分
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